一、二管
數字萬(wàn)用表二管檔開(kāi)路電壓約為2.8V,紅表筆接正,黑表筆接負,測量時(shí)提供電流約為1mA,顯示值為二管正向壓降近似值,單位是mV或V。硅二管正向導通壓降約為0.3~0.8V。鍺二管鍺正向導通壓降約為0.1~0.3V。并且功率大一些的二管正向壓降要小一些。如果測量值小于0.1V,說(shuō)明二管擊穿,此時(shí)正反向都導通。如果正反向均開(kāi)路說(shuō)明二管PN節開(kāi)路。對于發(fā)光二管,正向測量時(shí)二管發(fā)光,管壓降約1.7V左右。
二、三管
三管有兩個(gè)PN節,發(fā)射節(be)和集電節(bc),按測量二管的方法測量即可。在實(shí)際測量時(shí),每?jì)蓚€(gè)管腳間都要測正反向壓降,共要測6次,其中有4次顯示開(kāi)路,只有兩次顯示壓降值,否則三管是壞的或是特殊三管(如帶阻三管、達林頓三管等,可通過(guò)型號與普通三管區分開(kāi)來(lái))。在兩次有數值的測量中,如果黑表筆或紅表筆接同一,則該是基,測量值較小的是集電節,較大的是發(fā)射節,因為已判斷出基,對應可以判斷出集電和發(fā)射。同時(shí)可以判斷:如果黑表筆接同一,則三管是PNP型,如果紅表筆接同一,則三管是NPN型;壓降為0.6V左右的是硅管,壓降為0.2V左右的是鍺管。
三、可控硅:
可控硅陽(yáng)與陰及控制是開(kāi)路的,據此可以確定陽(yáng)管腳和判斷可控硅是否擊穿??煽毓杩刂坪完庨g也是PN節,但是大功率可控硅控制和陰間有一個(gè)保護電阻,測量時(shí)顯示值為電阻上的壓降。
四、光耦
光耦的一側是發(fā)光二管,測量時(shí)壓降約1V左右,另外一側是三管,有的只引出c、e,測量正反向均截止,如果三個(gè)腳都引出,測量特性同上面三管(多為NPN管)。當用一個(gè)萬(wàn)用表使二管正向導通,此時(shí)用另外一塊萬(wàn)用表測三管c對e導通壓降約為0.15V;斷開(kāi)接二管的萬(wàn)用表,三管c對e截止,說(shuō)明該光耦是好的。